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专利名称：高压垂直功率部件专利类型：发明专利发明人：S·梅纳德,G·戈蒂埃申请号：CN201410553425.5申请日：20141016公开号：CN104576724A公开日：20150429
摘要：一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚度的深度。
申请人：意法半导体(图尔)公司,法国国立图尔大学
地址：法国图尔
国籍：FR
代理机构：北京市金杜律师事务所
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