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专利名称：氮化硅层的形成方法专利类型：发明专利
发明人：王庆堂,廖晋熥,苏耿晖,邱煌昇,王明信申请号：CN200410042967.2申请日：20040604公开号：CN1706984A公开日：20051214
摘要：本发明是关于一种氮化硅层的形成方法，该形成方法是先提供沉积炉管，且此沉积炉管包括外管、晶舟、气体注入器与气体均匀注入装置。其中晶舟配置在外管内部，用以承载多数个晶圆。此外，气体注入器位于外管与晶舟之间。另外，气体均匀注入装置位于外管与晶舟之间，而且由此气体均匀注入装置所输出的气体会均匀分布于沉积炉管内。接着，将含硅气体源藉由气体注入器输送至沉积炉管内，并且将混合有载气的含氮气体源藉由气体均匀注入装置输送至沉积炉管内，以在晶圆表面沉积氮化硅层。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：中国
国籍：CN
代理机构：北京中原华和知识产权代理有限责任公司
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