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专利名称：二极管结构和其静电放电保护电路专利类型：发明专利发明人：刘芳妏,吕增富申请号：CN201810797061.3申请日：20180719公开号：CN109950325A公开日：20190628
摘要：本公开提供一种二极管结构和其静电放电保护电路。该二极管结构包括一P型基底。该二极管结构还包括多个波状N型掺杂区，设置在该P型基底上。每个该波状N型掺杂区沿着一第一方向延伸，且在一第二方向上具有一N型掺杂宽度，其中该第二方向垂直于该第一方向。该二极管结构还包括多个波状P型掺杂区，设置在该P型基底上。每个该波状P型掺杂区沿着该第一方向延伸，且在该第二方向上具有一P型掺杂宽度。沿着该第一方向不同位置的该N型掺杂宽度实质上相同，以及沿着该第一方向不同位置的P型掺杂宽度实质上相同。
申请人：南亚科技股份有限公司
地址：中国新北市
国籍：TW
代理机构：隆天知识产权代理有限公司
代理人：黄艳
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