基于异质结构忆阻器的研究进展

陈晓平;楼玉民;赵宁宁;黄一君;胡海龙;岳建岭

【期刊名称】《材料导报》 【年(卷),期】2022(36)10

【摘 要】忆阻器是当前最具应用前景的下一代非易失性存储器之一,在新型非易失性存储、逻辑运算和大脑神经功能模拟方面都展现出巨大的应用潜力。目前忆阻器阻变参数的弥散性和较差的器件重复性是制约其进一步发展的重要因素。采用异质结构的设计方法使组成材料的选择更加丰富多样,通过改变插入层厚度能够实现其结构和相对成分的灵活,同时材料内部构筑的界面异质结所产生的界面势垒、电荷诱捕效应等对忆阻器性能有额外附加调节作用,因而异质结构设计成为忆阻器性能和揭示忆阻器阻变机理的一种非常有效的方法。与单层氧化物忆阻器相比,异质结构的忆阻器在器件的功耗、稳定性和耐久性方面都有很大程度的改善,因此其在模拟人工突触和神经形态电路应用方面具有独特的优势。本文综述了异质结构忆阻器的最新研究进展,主要对异质结构忆阻器材料体系的选择与适配、器件结构设计、性质、机理以及应用进行了介绍,指出了目前异质结构忆阻器研究中需要关注的主要问题。本文有望为异质结构忆阻器的设计、制备和应用提供参考及借鉴。

【总页数】10页(P17-26)

【作 者】陈晓平;楼玉民;赵宁宁;黄一君;胡海龙;岳建岭

【作者单位】中南大学航天航空学院;浙江浙能技术研究院有限公司;浙江省火力发电高效节能与污染物控制技术研究重点实验室

【正文语种】中 文 【中图分类】TM23 【相关文献】

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