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专利名称：用于清洗硅片的方法专利类型：发明专利发明人：金仁贞,裵昭益申请号：CN200710302328.9申请日：20071218公开号：CN101211774A公开日：20080702
摘要：本发明涉及一种用于清洗硅片的方法，包括(S1)用于清洗硅片表面的第一清洗步骤，其中利用根据标准清洗1的SC－1清洗溶液；(S2)用于清洗在第一清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第二清洗步骤，其中利用根据标准清洗2的SC－2清洗溶液；(S3)用于清洗在第二清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第三清洗步骤，其中利用氢氟酸(HF)溶液；以及(S4)用于清洗在第三步骤中清洗的所述硅片表面的第四清洗步骤，其中利用臭氧水。本发明有效地去除硅片表面上的金属杂质并改进硅片的表面粗糙度，因而能够提供具有显著改进的物理特性的硅片。
申请人：斯尔瑞恩公司
地址：韩国庆尚北道
国籍：KR
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
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