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专利名称：一种薄膜太阳能电池专利类型：发明专利发明人：赵一辉,贺方涓申请号：CN201010236618.X申请日：20100726公开号：CN101901847A公开日：20101201
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳能电池，其结构为：衬底层/背电极层/P型铜铟镓硒薄膜层/N型铜铟镓硒缓冲层/P层/P型非晶硅层/I型非晶硅层/N型非晶硅层/N层/TCO层。本发明薄膜太阳能电池的非晶硅P-I-N结层厚度设计合理，近红外光谱能量能够被铜铟镓硒P-N结层充分吸收，因此薄膜太阳能电池的功率大大提高。另外，在非晶硅P-I-N结层的P型非晶硅层和N型非晶硅层外分别设置了极薄而重掺杂的P层和N层，加强了I型非晶硅层中的电场强度，提高了太阳能电池的功率。本发明薄膜太阳能电池所产生的功率较目前同类型双结层结构的太阳能电池平均增高约1.5%。本发明太阳能电池还具有可靠性高和制造价格低等优点。
申请人：河南阿格斯新能源有限公司
地址：450001 河南省郑州市高新区合欢街81号
国籍：CN
代理机构：郑州睿信知识产权代理有限公司
代理人：陈浩
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