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专利名称：一种太阳电池发射极的制备方法专利类型：发明专利发明人：金井升,蒋方丹,金浩申请号：CN201510552322.1申请日：20150901公开号：CN105226111A公开日：20160106
摘要：本发明提供了一种太阳电池发射极的制备方法，包括：A)将硅片进行制绒、扩散与刻蚀处理，得到预处理的硅片；B)利用臭氧氧化预处理的硅片，在表面形成氧化层，然后利用氢氟酸溶液去除氧化层，得到太阳电池发射极。与现有技术相比，本发明在常温下利用臭氧氧化预处理的硅片，可在其表面形成氧化层，然后再利用氢氟酸溶液去除氧化层，可有效去除发射极的死层，改善太阳电池的短波光谱响应，提高电池效率，且该方法简单可控，不会显著增加生产成本，适合大规模量产。
申请人：浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司
地址：314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：赵青朵
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