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专利名称：一种导电氧化锌晶须的制备方法及其专用装置专利类型：发明专利
发明人：楚珑晟,周祚万,刘菁菁,刘国梅,易锦,黄象贤,刘志农申请号：CN200410040488.7申请日：20040819公开号：CN1737222A公开日：20060222
摘要：本发明公开了一种导电氧化锌晶须的制备方法及其专用装置，该方法是将普通四针状氧化锌晶须或复合四针状氧化锌晶须放入温度为600－1600℃的反应管中，通入还原性气体保温5－240分钟，即可。该种方法制得的导电氧化锌晶须，其导电率大大提高，电阻率低至10－10Ω·cm，且导电率保持一致；可方便地加入高分子材料中作为导电添加材料，有效、持久的防止高分子材料的静电危害。
申请人：西南交通大学,成都交大晶宇科技有限公司
地址：610031 四川省成都市金牛区二环路北一段111号
国籍：CN
代理机构：成都博通专利事务所
代理人：陈树明
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