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专利名称：利用硼磷共掺提高纳米硅材料中的磷掺杂浓度的方
法
专利类型：发明专利
发明人：徐骏,李东珂,陆鹏,李伟,翟颖颖,陈坤基申请号：CN201610835042.6申请日：20160919公开号：CN106384708A公开日：20170208
摘要：利用硼磷共掺技术提高纳米硅基薄膜中磷的掺杂浓度效率的方法，步骤如下：1)利用PECVD制备掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜材料；2)通过交替进行非晶硅层沉积/原位氧化两个过程，能够获得掺杂纳米硅/二氧化硅(a‑Si/SiO)多层膜材料；控制非晶硅层沉积/原位氧化的时获得a‑Si/SiO多层膜的厚度；3)对制备的a‑Si/SiO多层膜进行脱氢处理；4)脱氢后对进行氮气氛围下的高温退火处理，使多晶硅结晶形成纳米硅，并激活杂质原子进入纳米硅内部，实现纳米硅的掺杂；制备成共掺杂的纳米硅/二氧化硅多层膜。
申请人：南京大学
地址：210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
国籍：CN
代理机构：南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人：陈建和
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