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专利名称：电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法专利类型：发明专利
发明人：叶如彬,梁洁,涂乐义,徐朝阳,杨金全申请号：CN201610246809.1申请日：20160420公开号：CN107305830A公开日：20171031
摘要：本发明提供一种电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法，用以改善半导体处理的均匀性。所述电容耦合等离子体处理装置，包括：反应腔，设置有顶壁、侧壁与底壁；上电极，设置在所述顶壁；下电极，位于所述反应腔内，并与所述上电极相对设置；射频功率源，施加于所述下电极；偏置功率源，施加于所述下电极；阻抗调节装置，所述阻抗调节装置的一端连接所述上电极或所述侧壁，另一端接地。
申请人：中微半导体设备(上海)有限公司
地址：201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
国籍：CN
代理机构：上海信好专利代理事务所(普通合伙)
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